根據摩爾定律的延續，從14nm，7nm再到5nm，芯片制造工藝技術已經取得了突破。當5nm剛剛開始實現大規模突破時，臺積電已經在2nm芯片制程技術的研究和開發中取得了重大突破，并開始向1nm制程邁進。
臺灣媒體透露，臺積電在2nm制程上取得了重大的內部突破。根據臺積電的介紹，在理想條件下，2nm制程芯片將在2023年下半年進行小規模試生產。
如果什么都沒有發生，則將在2024年實現大規模量產。 2nm的突破將再次擴大與競爭對手的差距，同時繼續遵循摩爾定律并繼續推進1nm工藝的研發。
預計蘋果，高通，NVIDIA，AMD和其他客戶將率先采用其2nm工藝。臺積電可能再次駁回先前關于摩爾定律失敗的結論。
盡管臺積電非常樂觀，但根據物理定律，當芯片工藝達到極限時，由于隧穿效應，芯片中的電子無法充分發揮其全部強度。相應地，制造商的成本將成倍增加。
據三星介紹，其在5nm工藝研發上的投資已達4.8億美元。在2nm制程中，臺積電將放棄已經使用多年的FinFET（鰭式場效應晶體管），甚至不使用三星計劃在3nm制程中使用的GAAFET（環繞柵場效應晶體管），即納米線。
（納米線），但將其擴展為“ MBCFET” （多橋溝道場效應晶體管），也稱為納米片。從GAAFET到MBCFET，從納米線到納米片，可以看作是從二維到三維的飛躍，這可以極大地改善電路控制并降低泄漏率。
新過程的成本將越來越高。三星已經在5nm工藝的研究和開發方面投資了4.8億美元，而在3nm GAAFET領域的投資將大大超過5億美元。
因此，盡管臺積電在2nm芯片的開發方面取得了重大突破，但仍需要在批量生產之前解決更多的問題。